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产品料号:

MT47H256M8THN-25E:H-TR

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品牌/产地: Micron Technology Inc 品牌来源:
产品分类: 存储器 封装/规格: 63-FBGA(8x10)
产品编码: JR433900 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: -
最小包装数量: 1000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 1000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Micron Technology Inc
规格描述: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 63FBGA
图片仅供参考
MT47H256M8THN-25E:H-TR

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详细类别:存储器
格式 - 存储器:RAM
存储器类型:DDR2 SDRAM
存储容量:2G(256M x 8)
速度:2.5ns
接口:并联
电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V
工作温度:0°C ~ 85°C
封装/外壳:63-TFBGA
供应商器件封装:63-FBGA(8x10)


-系列简介:
本产品关键字:MT47H256M8THN-25E:H-TR,
原厂料号品牌规格描述

MT47H256M8THN-3:H

Micron Technology Inc IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS 63FBGA

MT47H256M8THN-25E-IT:H

Micron Technology Inc IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 63FBGA

MT47H256M8THN-25E:H

Micron Technology Inc IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 63FBGA

MT47H256M8THN-3:H-TR

Micron Technology Inc IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS 63FBGA

MT47H256M8THN-3-IT:H

Micron Technology Inc IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS 63FBGA
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