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料号搜索举例:STM32F401VBT6         FH35C-41S-0.3SHW
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产品料号:

SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1
品牌/产地: Vishay Siliconix 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: 10-UFBGA,CSPBGA
产品编码: JR1428774 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: TrenchFET®
最小包装数量: 3000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 3000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Vishay Siliconix
规格描述: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
图片仅供参考
SI8900EDB-T2-E1

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详细类别:FET - 阵列
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:10-UFBGA,CSPBGA
供应商器件封装:10-Micro Foot™(2x5)


TrenchFET®系列简介:
本产品关键字:SI8900EDB-T2-E1,
原厂料号品牌规格描述

SMMB911DK-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L

SIE864DF-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK

SI7121ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8

SQ7002K-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3

SIE836DF-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
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