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料号搜索举例:STM32F401VBT6         FH35C-41S-0.3SHW
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产品料号:

STD30N10F7

STD30N10F7
品牌/产地: STMicroelectronics 品牌来源: 意大利
产品分类: FET器件 封装/规格: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
产品编码: JR1416772 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
最小包装数量: 2500 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 2500 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: ST,意法半导体
规格描述: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
图片仅供参考
STD30N10F7

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详细类别:FET - 单
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):32A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1270pF @ 50V
功率 - 最大值:50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK


DeepGATE™, STripFET™ VII系列简介:
本产品关键字:STD30N10F7,
原厂料号品牌规格描述

STD25N10F7

STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

STD45N10F7

STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 45A DPAK

STD80N10F7

STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 70A DPAK

STD100N10F7

STMicroelectronics MOSFET N CH 100V 80A DPAK
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