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集成电路(IC芯片) 连接器 分立半导体产品 电容器 电阻器

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产品料号:

70V3579S5DR

70V3579S5DR
品牌/产地: IDT, Integrated Device Technology Inc 品牌来源:
产品分类: 存储器 封装/规格: 208-PQFP(28x28)
产品编码: JR439909 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: -
最小包装数量: 12 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 12 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: IDT, Integrated Device Technology Inc
规格描述: IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208QFP
图片仅供参考
70V3579S5DR

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详细类别:存储器
格式 - 存储器:RAM
存储器类型:SRAM - 双端口,同步
存储容量:1.125M(32K x 36)
速度:5ns
接口:并联
电压 - 电源:3.15 V ~ 3.45 V
工作温度:0°C ~ 70°C
封装/外壳:208-BFQFP
供应商器件封装:208-PQFP(28x28)


-系列简介:
本产品关键字:70V3579S5DR,
原厂料号品牌规格描述

70V3589S133DRI

IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208QFP

70V659S15DR

IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5MBIT 15NS 208QFP

70T3519S133DR

IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP

70T651S12DRI

IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP

70V659S12DRGI8

IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5MBIT 12NS 208QFP
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