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产品展示
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| 品牌/产地： |
ON Semiconductor |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
3-XFDFN |
| 产品编码： |
JR1433195 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
8000 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
8000 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： ON Semiconductor |
| 规格描述： |
JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3 |
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图片仅供参考
EC3A03B-TL-H |
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详细类别：JFET（结点场效应
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
漏源极电压 (Vdss)：40V
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：50uA @ 20V
漏极电流 (Id) - 最大值：1mA
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1.5V @ 1uA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1.7pF @ 10V
电阻 - RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-XFDFN
供应商器件封装：3-ECSP1006
功率 - 最大值：100mW
-系列简介：
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| 本产品关键字：EC3A03B-TL-H, |
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