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产品展示
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| 品牌/产地： |
Vishay Semiconductor Diodes Division |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
IGBT器件 |
封装/规格： |
* |
| 产品编码： |
JR1432457 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
24 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
24 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 规格描述： |
IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK |
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图片仅供参考
VS-GB50TP120N |
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详细类别：IGBT - 模块
IGBT 类型：-
配置：半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A
功率 - 最大值：446W
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.15V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）：5mA
不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：4.29nF @ 25V
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*
-系列简介：
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| 本产品关键字：VS-GB50TP120N, |
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