中文版  |  English  |  繁体中文  |  网站地图
参数搜索举例:ARM 32BIT 32K FLASH        1210 10uf 25v 125度 10%
料号搜索举例:STM32F401VBT6         FH35C-41S-0.3SHW
当前位置:首页 > 产品中心  > IGBT器件 > Fairchild Semiconductor > - > FGA25N120FTD
集成电路(IC芯片) 连接器 分立半导体产品 电容器 电阻器

   联系电话:0755-82353796
   传  真:0755-28263285
   李经理 13823135601 
   QQ:3008976071
   张小姐 13631595877
   QQ:125926782
   唐经理  13823729684
   QQ:3008976288
   公司地址:深圳市福田区
   赛格广场22楼2208B
   仓库地址:深圳市龙岗区园山街
   道尚城大厦1101

产品料号:

FGA25N120FTD

FGA25N120FTD
品牌/产地: Fairchild Semiconductor 品牌来源:
产品分类: IGBT器件 封装/规格: TO-3P-3,SC-65-3
产品编码: JR1431311 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: -
最小包装数量: 450 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 450 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Fairchild Semiconductor
规格描述: IGBT 1200V 50A 313W TO3P
图片仅供参考
FGA25N120FTD

产品相关的资料数据可能存在错误(数据量太大),具体请咨询我们!

详细类别:IGBT - 单路
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A
Current - Collector Pulsed (Icm):75A
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,25A
功率 - 最大值:313W
Switching Energy:340uJ (开), 900uJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:160nC
25°C 时 Td(开/关)值:48ns/210ns
Test Condition:600V, 25A, 15欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):770ns
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-3PN


-系列简介:
本产品关键字:FGA25N120FTD,
原厂料号品牌规格描述

FGH20N6S2

Fairchild Semiconductor IGBT 600V 28A 125W TO247

HGTG7N60A4D

Fairchild Semiconductor IGBT 600V 34A 125W TO247

FGA90N30DTU

Fairchild Semiconductor IGBT 300V 90A 219W TO3P

FGA50N60LS

Fairchild Semiconductor IGBT 600V 100A 240W TO3P

FGA90N33ATTU

Fairchild Semiconductor IGBT 330V 90A 223W TO3P
公司地址:深圳市福田区赛格广场22楼2208B  电 话: 0755-82353796 传 真: 0755-28263285
版权所有©深圳市俊融科技有限公司 ShenZhen JunRong Technology Co.,Ltd. 网 址:www.szJunRong.com
ST、TI、Realtek、Renesas、Mps芯片集成电路IC;HRS、TE、JST连接器,muRata、华新科、国巨电容,NICHICON、RUBYCON、NCC电容 
备案号:粤ICP备17053905号