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产品展示
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| 品牌/产地： |
Fairchild Semiconductor |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
IGBT器件 |
封装/规格： |
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 产品编码： |
JR1431308 |
原厂一般交期： |
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| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
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| 最小订购数量： |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Fairchild Semiconductor |
| 规格描述： |
IGBT 600V 34A 125W TO263AB |
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图片仅供参考
HGT1S7N60A4DS |
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详细类别：IGBT - 单路
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：34A
Current - Collector Pulsed (Icm)：56A
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.7V @ 15V，7A
功率 - 最大值：125W
Switching Energy：55uJ （开）， 60uJ （关）
输入类型：标准
Gate Charge：37nC
25°C 时 Td（开/关）值：11ns/100ns
Test Condition：390V, 7A, 25 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：34ns
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线＋接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-263AB
-系列简介：
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| 本产品关键字：HGT1S7N60A4DS, |
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