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产品展示
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| 品牌/产地： |
Fairchild Semiconductor |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
IGBT器件 |
封装/规格： |
TO-220-3 |
| 产品编码： |
JR1431100 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
400 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
400 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Fairchild Semiconductor |
| 规格描述： |
IGBT 1200V 13A 104W TO220AB |
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图片仅供参考
HGTP2N120CN |
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详细类别：IGBT - 单路
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：13A
Current - Collector Pulsed (Icm)：20A
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.4V @ 15V，2.6A
功率 - 最大值：104W
Switching Energy：96uJ （开）， 355uJ （关）
输入类型：标准
Gate Charge：30nC
25°C 时 Td（开/关）值：25ns/205ns
Test Condition：960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB
-系列简介：
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| 本产品关键字：HGTP2N120CN, |
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