中文版  |  English  |  繁体中文  |  网站地图
参数搜索举例:ARM 32BIT 32K FLASH        1210 10uf 25v 125度 10%
料号搜索举例:STM32F401VBT6         FH35C-41S-0.3SHW
当前位置:首页 > 产品中心  > IGBT器件 > IXYS > HiPerFAST™ > IXGT35N120B
集成电路(IC芯片) 连接器 分立半导体产品 电容器 电阻器

   联系电话:0755-82353796
   传  真:0755-28263285
   李经理 13823135601 
   QQ:3008976071
   张小姐 13631595877
   QQ:125926782
   唐经理  13823729684
   QQ:3008976288
   公司地址:深圳市福田区
   赛格广场22楼2208B
   仓库地址:深圳市龙岗区园山街
   道尚城大厦1101

产品料号:

IXGT35N120B

IXGT35N120B
品牌/产地: IXYS 品牌来源:
产品分类: IGBT器件 封装/规格: TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA
产品编码: JR1430598 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: HiPerFAST™
最小包装数量: 30 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 30 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: IXYS
规格描述: IGBT 1200V 70A 300W TO268
图片仅供参考
IXGT35N120B

产品相关的资料数据可能存在错误(数据量太大),具体请咨询我们!

详细类别:IGBT - 单路
IGBT 类型:PT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A
Current - Collector Pulsed (Icm):140A
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.3V @ 15V,35A
功率 - 最大值:300W
Switching Energy:3.8mJ(关)
输入类型:标准
Gate Charge:170nC
25°C 时 Td(开/关)值:50ns/180ns
Test Condition:960V, 35A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-268-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-268AA
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-268


HiPerFAST™系列简介:
本产品关键字:IXGT35N120B,
原厂料号品牌规格描述

IXGT20N60BD1

IXYS IGBT 600V 40A 150W TO268

IXGT40N60C2

IXYS IGBT 600V 75A 300W TO268

IXGT20N60B

IXYS IGBT 600V 40A 150W TO268

IXGT50N90B2D1

IXYS IGBT 900V 75A 400W TO268

IXGT30N60C2

IXYS IGBT 600V 70A 190W TO268
公司地址:深圳市福田区赛格广场22楼2208B  电 话: 0755-82353796 传 真: 0755-28263285
版权所有©深圳市俊融科技有限公司 ShenZhen JunRong Technology Co.,Ltd. 网 址:www.szJunRong.com
ST、TI、Realtek、Renesas、Mps芯片集成电路IC;HRS、TE、JST连接器,muRata、华新科、国巨电容,NICHICON、RUBYCON、NCC电容 
备案号:粤ICP备17053905号