中文版  |  English  |  繁体中文  |  网站地图
参数搜索举例:ARM 32BIT 32K FLASH        1210 10uf 25v 125度 10%
料号搜索举例:STM32F401VBT6         FH35C-41S-0.3SHW
当前位置:首页 > 产品中心  > IGBT器件 > Infineon Technologies > TrenchStop® > IGB20N60H3
集成电路(IC芯片) 连接器 分立半导体产品 电容器 电阻器

   联系电话:0755-82353796
   传  真:0755-28263285
   李经理 13823135601 
   QQ:3008976071
   张小姐 13631595877
   QQ:125926782
   唐经理  13823729684
   QQ:3008976288
   公司地址:深圳市福田区
   赛格广场22楼2208B
   仓库地址:深圳市龙岗区园山街
   道尚城大厦1101

产品料号:

IGB20N60H3

IGB20N60H3
品牌/产地: Infineon Technologies 品牌来源:
产品分类: IGBT器件 封装/规格: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
产品编码: JR1430117 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: TrenchStop®
最小包装数量: 1000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 1000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Infineon,英飞凌
规格描述: IGBT 600V 40A 170W TO263-3
图片仅供参考
IGB20N60H3

产品相关的资料数据可能存在错误(数据量太大),具体请咨询我们!

详细类别:IGBT - 单路
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A
Current - Collector Pulsed (Icm):80A
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,20A
功率 - 最大值:170W
Switching Energy:690uJ
输入类型:标准
Gate Charge:120nC
25°C 时 Td(开/关)值:16ns/194ns
Test Condition:400V, 20A, 14.6 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:PG-TO263-3


TrenchStop®系列简介:
本产品关键字:IGB20N60H3,
原厂料号品牌规格描述

IKB06N60T

Infineon Technologies IGBT 600V 12A 88W TO263-3

IKB20N60H3

Infineon Technologies IGBT 600V 40A 170W TO263-3

IKB10N60T

Infineon Technologies IGBT 600V 20A 110W TO263-3

IGB15N60T

Infineon Technologies IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2

IKB20N60T

Infineon Technologies IGBT 600V 40A 166W TO263-3
公司地址:深圳市福田区赛格广场22楼2208B  电 话: 0755-82353796 传 真: 0755-28263285
版权所有©深圳市俊融科技有限公司 ShenZhen JunRong Technology Co.,Ltd. 网 址:www.szJunRong.com
ST、TI、Realtek、Renesas、Mps芯片集成电路IC;HRS、TE、JST连接器,muRata、华新科、国巨电容,NICHICON、RUBYCON、NCC电容 
备案号:粤ICP备17053905号