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产品展示
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| 品牌/产地： |
ON Semiconductor |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
IGBT器件 |
封装/规格： |
TO-247-3 |
| 产品编码： |
JR1429848 |
原厂一般交期： |
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| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
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 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
联系咨询 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： ON Semiconductor |
| 规格描述： |
IGBT 1200V 80A 535W TO247 |
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图片仅供参考
NGTB40N120FL2WG |
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详细类别：IGBT - 单路
IGBT 类型：沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A
Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值：535W
Switching Energy：3.4mJ （开）， 1.1mJ （关）
输入类型：标准
Gate Charge：313nC
25°C 时 Td（开/关）值：116ns/286ns
Test Condition：600V, 40A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：240ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247
-系列简介：
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| 本产品关键字：NGTB40N120FL2WG, |
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