中文版  |  English  |  繁体中文  |  网站地图
参数搜索举例:ARM 32BIT 32K FLASH        1210 10uf 25v 125度 10%
料号搜索举例:STM32F401VBT6         FH35C-41S-0.3SHW
当前位置:首页 > 产品中心  > IGBT器件 > STMicroelectronics > PowerMESH™ > STGB20NB41LZT4
集成电路(IC芯片) 连接器 分立半导体产品 电容器 电阻器

   联系电话:0755-82353796
   传  真:0755-28263285
   李经理 13823135601 
   QQ:3008976071
   张小姐 13631595877
   QQ:125926782
   唐经理  13823729684
   QQ:3008976288
   公司地址:深圳市福田区
   赛格广场22楼2208B
   仓库地址:深圳市龙岗区园山街
   道尚城大厦1101

产品料号:

STGB20NB41LZT4

STGB20NB41LZT4
品牌/产地: STMicroelectronics 品牌来源: 意大利
产品分类: IGBT器件 封装/规格: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
产品编码: JR1429623 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: PowerMESH™
最小包装数量: 1000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 1000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: ST,意法半导体
规格描述: IGBT 442V 40A 200W D2PAK
图片仅供参考
STGB20NB41LZT4

产品相关的资料数据可能存在错误(数据量太大),具体请咨询我们!

详细类别:IGBT - 单路
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):442V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A
Current - Collector Pulsed (Icm):80A
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2V @ 4.5V,20A
功率 - 最大值:200W
Switching Energy:5mJ (开), 12.9mJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:46nC
25°C 时 Td(开/关)值:1us/12.1us
Test Condition:320V,20A,1 千欧,5V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:D2PAK


PowerMESH™系列简介:
本产品关键字:STGB20NB41LZT4,
原厂料号品牌规格描述

STGB7NC60HT4

STMicroelectronics IGBT 600V 25A 80W D2PAK

STGB7NB60KDT4

STMicroelectronics IGBT 600V 14A 80W D2PAK

STGBL6NC60DIT4

STMicroelectronics IGBT 600V 14A 56W D2PAK

STGB10NC60HDT4

STMicroelectronics IGBT 600V 20A 65W D2PAK

STGB20NB37LZ

STMicroelectronics IGBT 425V 40A 200W D2PAK
公司地址:深圳市福田区赛格广场22楼2208B  电 话: 0755-82353796 传 真: 0755-28263285
版权所有©深圳市俊融科技有限公司 ShenZhen JunRong Technology Co.,Ltd. 网 址:www.szJunRong.com
ST、TI、Realtek、Renesas、Mps芯片集成电路IC;HRS、TE、JST连接器,muRata、华新科、国巨电容,NICHICON、RUBYCON、NCC电容 
备案号:粤ICP备17053905号