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道尚城大厦1101
产品展示
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| 品牌/产地： |
Advanced Linear Devices Inc |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 产品编码： |
JR1428814 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
50 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
50 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Advanced Linear Devices Inc |
| 规格描述： |
MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8DIP |
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图片仅供参考
ALD1101BPAL |
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详细类别：FET - 阵列
FET 类型：2 N 沟道（双）配对
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：10.6V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：25mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：75 欧姆 @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 10uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：500mW
安装类型：通孔
封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：8-PDIP
-系列简介：
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| 本产品关键字：ALD1101BPAL, |
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| 原厂料号 | 品牌 | 规格描述 |
ALD1102BPAL |
Advanced Linear Devices Inc |
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ALD1102APAL |
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ALD1101PAL |
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MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8DIP |
ALD1115PAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP |