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产品展示
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| 品牌/产地： |
NXP Semiconductors |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
6-XFDFN 裸露焊盘 |
| 产品编码： |
JR1428240 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
TrenchFET® |
| 最小包装数量： |
5000 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
5000 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： NXP Semiconductors |
| 规格描述： |
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN |
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图片仅供参考
PMDXB600UNE |
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详细类别：FET - 阵列
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：600mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：620 毫欧 @ 600mA， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：21.3pF @ 10V
功率 - 最大值：265mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-DFN （1.1x1）
TrenchFET®系列简介：
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| 本产品关键字：PMDXB600UNE, |
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