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道尚城大厦1101
产品展示
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| 品牌/产地： |
Advanced Linear Devices Inc |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 产品编码： |
JR1428229 |
原厂一般交期： |
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| 包装/方式： |
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产品系列： |
EPAD®， Zero Threshold™ |
| 最小包装数量： |
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 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Advanced Linear Devices Inc |
| 规格描述： |
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC |
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图片仅供参考
ALD212900SAL |
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详细类别：FET - 阵列
FET 类型：2 N 沟道（双）配对
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：10.6V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：79mA， 85uA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：14 欧姆
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：20mV @ 20uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：30pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
EPAD®， Zero Threshold™系列简介：
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| 本产品关键字：ALD212900SAL, |
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