产品分类
集成电路(IC芯片)
连接器
分立半导体产品
电容器
电阻器
联系我们
联系电话：0755-82353796
传 真：0755-28263285
李经理 13823135601
QQ：3008976071
张小姐 13631595877
QQ：125926782
唐经理 13823729684
QQ：3008976288
公司地址：深圳市福田区
赛格广场22楼2208B
仓库地址：深圳市龙岗区园山街
道尚城大厦1101
产品展示
|
|
 |
| 品牌/产地： |
Toshiba Semiconductor and Storage |
品牌来源： |
|
| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 产品编码： |
JR1427946 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
|
产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
3000 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
3000 |
 |
| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Toshiba Semiconductor and Storage |
| 规格描述： |
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 |
|
|
|
图片仅供参考
SSM6N7002BFU(T5L,F |
产品相关的资料数据可能存在错误（数据量太大），具体请咨询我们！
详细类别：FET - 阵列
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.1 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.1V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：17pF @ 25V
功率 - 最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：US6
-系列简介：
|
| 本产品关键字：SSM6N7002BFU(T5L,F, |
相关产品
| 原厂料号 | 品牌 | 规格描述 |
SSM6N48FU,RF |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C |
SSM6J08FUTE85LF |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET P-CH 20V 1.3A US6 |
SSM6N7002FU(TE85LF) |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 |
SSM6N15AFU,LF |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET 2N CH 30V 0.1A 2-2J1C |
SSM6N16FUTE85LF |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSF N CH 20V 100MA US6 |