产品分类
集成电路(IC芯片)
连接器
分立半导体产品
电容器
电阻器
联系我们
联系电话：0755-82353796
传 真：0755-28263285
李经理 13823135601
QQ：3008976071
张小姐 13631595877
QQ：125926782
唐经理 13823729684
QQ：3008976288
公司地址：深圳市福田区
赛格广场22楼2208B
仓库地址：深圳市龙岗区园山街
道尚城大厦1101
产品展示
|
|
 |
| 品牌/产地： |
Advanced Linear Devices Inc |
品牌来源： |
|
| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 产品编码： |
JR1427742 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
|
产品系列： |
EPAD®， Zero Threshold™ |
| 最小包装数量： |
联系咨询 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
联系咨询 |
 |
| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Advanced Linear Devices Inc |
| 规格描述： |
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
|
|
|
图片仅供参考
ALD110900APAL |
产品相关的资料数据可能存在错误（数据量太大），具体请咨询我们！
详细类别：FET - 阵列
FET 类型：2 N 沟道（双）配对
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：10.6V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12mA， 3mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：500 欧姆 @ 4V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：10mV @ 1uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2.5pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：通孔
封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：8-PDIP
EPAD®， Zero Threshold™系列简介：
|
| 本产品关键字：ALD110900APAL, |
相关产品
| 原厂料号 | 品牌 | 规格描述 |
ALD212914PAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET N-CH 10V 79MA 8DIP |
ALD212908PAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET N-CH 10V 79MA 8DIP |
ALD212902PAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET 2N-CH 10.6V 80MA 8DIP |
ALD212900PAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
ALD212904PAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET N-CH 10V 79MA 8DIP |