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产品展示
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品牌/产地: |
International Rectifier |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
6-VDFN 裸露焊盘 |
产品编码: |
JR1427674 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
HEXFET® |
最小包装数量: |
4000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
4000 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: International Rectifier |
规格描述: |
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 2X2 PQFN |
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图片仅供参考
IRLHS6376TRPBF |
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详细类别:FET - 阵列 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):63 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 25V 功率 - 最大值:1.5W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-PQFN(2x2)
HEXFET®系列简介:
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本产品关键字:IRLHS6376TRPBF, |
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