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产品展示
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| 品牌/产地： |
Toshiba Semiconductor and Storage |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
SOT-563，SOT-666 |
| 产品编码： |
JR1427554 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
4000 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
4000 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Toshiba Semiconductor and Storage |
| 规格描述： |
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 |
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图片仅供参考
SSM6L35FE(TE85L,F) |
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详细类别：FET - 阵列
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180mA，100mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，4V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9.5pF @ 3V
功率 - 最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）
-系列简介：
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| 本产品关键字：SSM6L35FE(TE85L,F), |
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