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产品展示
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![UPA2672T1R-E2-AX](/ProductFile/PicFile/277/120/131946109834355018612.jpg) |
品牌/产地: |
Renesas Electronics America |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
6-WFDFN 裸露焊盘 |
产品编码: |
JR1427269 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
- |
最小包装数量: |
3000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
3000 |
![在线咨询 在线咨询](http://wpa.qq.com/pa?p=2:241181876:50) |
是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Renesas Electronics America |
规格描述: |
MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON |
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图片仅供参考
UPA2672T1R-E2-AX |
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详细类别:FET - 阵列 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压 (Vdss):12V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):67 毫欧 @ 2A, 4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):486pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-HUSON(2X2)
-系列简介:
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本产品关键字:UPA2672T1R-E2-AX, |
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