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产品展示
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| 品牌/产地： |
STMicroelectronics |
品牌来源： |
意大利 |
| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 产品编码： |
JR1425448 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
STripFET™ |
| 最小包装数量： |
600 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
600 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： ST,意法半导体 |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 |
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图片仅供参考
STV160NF02LAT4 |
产品相关的资料数据可能存在错误（数据量太大），具体请咨询我们！
详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：160A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.7毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：175nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5500pF @ 15V
功率 - 最大值：210W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装：10-PowerSO
STripFET™系列简介：
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| 本产品关键字：STV160NF02LAT4, |
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