产品分类
集成电路(IC芯片)
连接器
分立半导体产品
电容器
电阻器
联系我们
联系电话：0755-82353796
传 真：0755-28263285
李经理 13823135601
QQ：3008976071
张小姐 13631595877
QQ：125926782
唐经理 13823729684
QQ：3008976288
公司地址：深圳市福田区
赛格广场22楼2208B
仓库地址：深圳市龙岗区园山街
道尚城大厦1101
产品展示
|
|
 |
| 品牌/产地： |
Infineon Technologies |
品牌来源： |
|
| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
TO-252-3，DPak（2 引线＋接片），SC-63 |
| 产品编码： |
JR1425187 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
|
产品系列： |
CoolMOS™ |
| 最小包装数量： |
2500 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
2500 |
 |
| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Infineon,英飞凌 |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252 |
|
|
|
图片仅供参考
SPD02N80C3 |
产品相关的资料数据可能存在错误（数据量太大），具体请咨询我们！
详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.7 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 120uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：290pF @ 100V
功率 - 最大值：42W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线＋接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3
CoolMOS™系列简介：
|
| 本产品关键字：SPD02N80C3, |
相关产品
| 原厂料号 | 品牌 | 规格描述 |
SPD07N60S5T |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK |
IPD60R600CP |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 |
IPD60R450E6 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3 |
SPD04N60S5 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252 |
IPD60R520C6 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252 |