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产品展示
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| 品牌/产地： |
Infineon Technologies |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 产品编码： |
JR1425163 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
OptiMOS™ |
| 最小包装数量： |
联系咨询 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
联系咨询 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Infineon,英飞凌 |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 |
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图片仅供参考
IPB085N06L-G |
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详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 80A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 125uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：104nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3500pF @ 30V
功率 - 最大值：188W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线＋接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3
OptiMOS™系列简介：
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| 本产品关键字：IPB085N06L-G, |
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