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产品展示
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| 品牌/产地： |
Infineon Technologies |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
TO-261-4，TO-261AA |
| 产品编码： |
JR1424732 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
SIPMOS® |
| 最小包装数量： |
1000 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
1000 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Infineon,英飞凌 |
| 规格描述： |
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223 |
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图片仅供参考
BSP317PE6327T |
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详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：250V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：430mA （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 430mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 370uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：262pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：PG-SOT223-4
SIPMOS®系列简介：
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| 本产品关键字：BSP317PE6327T, |
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