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料号搜索举例:STM32F401VBT6         FH35C-41S-0.3SHW
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产品料号:

HAT2266H

HAT2266H
品牌/产地: Renesas Electronics America 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: SC-100,SOT-669
产品编码: JR1423031 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: -
最小包装数量: 2500 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 2500 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Renesas Electronics America
规格描述: MOSFET N-CH 60V 30A 5LFPAK
图片仅供参考
HAT2266H

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详细类别:FET - 单
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3600pF @ 10V
功率 - 最大值:23W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-100,SOT-669
供应商器件封装:LFPAK


-系列简介:
本产品关键字:HAT2266H,
原厂料号品牌规格描述

RJK0329DPB-00#J0

Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

RJK0331DPB-01#J0

Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

RJK0451DPB-00#J5

Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK

RJK0330DPB-00#J0

Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

HAT2166H-EL-E

Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
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