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产品展示
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| 品牌/产地： |
Renesas Electronics America |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） |
| 产品编码： |
JR1422430 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
2500 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
2500 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Renesas Electronics America |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I |
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图片仅供参考
HAT2173N |
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详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：25A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：15.3 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：61nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4350pF @ 10V
功率 - 最大值：30W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
供应商器件封装：8-LFPAK-iV
-系列简介：
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| 本产品关键字：HAT2173N, |
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