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产品展示
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| 品牌/产地： |
EPC |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
- |
| 产品编码： |
JR1420921 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
eGaN® |
| 最小包装数量： |
2 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
2 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： EPC |
| 规格描述： |
TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE |
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图片仅供参考
EPC8010TENGR |
产品相关的资料数据可能存在错误（数据量太大），具体请咨询我们！
详细类别：FET - 单
FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.4A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 500mA， 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.354nC @ 50V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：47pF @ 50V
功率 - 最大值：-
安装类型：*
封装/外壳：-
供应商器件封装：*
eGaN®系列简介：
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| 本产品关键字：EPC8010TENGR, |
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