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产品展示
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![FDB8876](/ProductFile/PicFile/264/155/131937245770683118233.jpg) |
品牌/产地: |
Fairchild Semiconductor |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
产品编码: |
JR1420464 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
PowerTrench® |
最小包装数量: |
800 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
800 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Fairchild Semiconductor |
规格描述: |
MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK |
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图片仅供参考
FDB8876 |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):71A (Tc) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1700pF @ 15V 功率 - 最大值:70W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D²PAK
PowerTrench®系列简介:
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本产品关键字:FDB8876, |
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