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产品展示
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![FQI9N08LTU](/ProductFile/PicFile/272/155/131945409671663463977.JPG) |
品牌/产地: |
Fairchild Semiconductor |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA |
产品编码: |
JR1419429 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
QFET® |
最小包装数量: |
3000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
3000 |
![在线咨询 在线咨询](http://wpa.qq.com/pa?p=2:241181876:50) |
是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Fairchild Semiconductor |
规格描述: |
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK |
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图片仅供参考
FQI9N08LTU |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):80V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.3A (Tc) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 4.65A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):280pF @ 25V 功率 - 最大值:3.75W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK
QFET®系列简介:
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本产品关键字:FQI9N08LTU, |
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