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产品展示
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![FQT4N20TF](/ProductFile/PicFile/264/118/131936875761185683736.jpg) |
品牌/产地: |
Fairchild Semiconductor |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-261-4,TO-261AA |
产品编码: |
JR1419270 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
- |
最小包装数量: |
8000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
8000 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Fairchild Semiconductor |
规格描述: |
MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 |
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图片仅供参考
FQT4N20TF |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):200V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):850mA (Tc) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 425mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):220pF @ 25V 功率 - 最大值:2.2W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223-3
-系列简介:
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本产品关键字:FQT4N20TF, |
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