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产品展示
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| 品牌/产地： |
Fairchild Semiconductor |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
| 产品编码： |
JR1419182 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
PowerTrench® |
| 最小包装数量： |
400 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
400 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Fairchild Semiconductor |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB |
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图片仅供参考
FDI2532 |
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详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：150V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A （Ta）， 79A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：107nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5870pF @ 25V
功率 - 最大值：310W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK
PowerTrench®系列简介：
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| 本产品关键字：FDI2532, |
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