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产品展示
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| 品牌/产地： |
NXP Semiconductors |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
TO-252-3，DPak（2 引线＋接片），SC-63 |
| 产品编码： |
JR1418924 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
TrenchMOS™ |
| 最小包装数量： |
2500 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
2500 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： NXP Semiconductors |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK |
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图片仅供参考
PHD3055E,118 |
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详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.3A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 25V
功率 - 最大值：33W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线＋接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK
TrenchMOS™系列简介：
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| 本产品关键字：PHD3055E,118, |
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