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产品展示
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品牌/产地: |
Infineon Technologies |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-220-3 |
产品编码: |
JR1418621 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
CoolMOS™ |
最小包装数量: |
500 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
500 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Infineon,英飞凌 |
规格描述: |
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220 |
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图片仅供参考
SPP12N50C3 |
产品相关的资料数据可能存在错误(数据量太大),具体请咨询我们!
详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):560V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11.6A (Tc) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 500uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3
CoolMOS™系列简介:
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本产品关键字:SPP12N50C3, |
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