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产品展示
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![BSR316P-L6327](/ProductFile/PicFile/261/115/131935994033255864561.jpg) |
品牌/产地: |
Infineon Technologies |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品编码: |
JR1417859 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
SIPMOS® |
最小包装数量: |
6000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
6000 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Infineon,英飞凌 |
规格描述: |
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59 |
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图片仅供参考
BSR316P-L6327 |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):100V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):360mA (Ta) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 360mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 170uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):165pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59
SIPMOS®系列简介:
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本产品关键字:BSR316P-L6327, |
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