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产品展示
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![STP24N60DM2](/ProductFile/PicFile/272/97/131945357097395552155.JPG) |
品牌/产地: |
STMicroelectronics |
品牌来源: |
意大利 |
产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-220-3 |
产品编码: |
JR1417363 |
原厂一般交期: |
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包装/方式: |
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产品系列: |
FDmesh™ II Plus |
最小包装数量: |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: ST,意法半导体 |
规格描述: |
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220 |
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图片仅供参考
STP24N60DM2 |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):600V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A (Tc) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1055pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220
FDmesh™ II Plus系列简介:
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本产品关键字:STP24N60DM2, |
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