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产品展示
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品牌/产地: |
STMicroelectronics |
品牌来源: |
意大利 |
产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
4-PowerFlat? HV |
产品编码: |
JR1417350 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
MDmesh™ V |
最小包装数量: |
3000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
3000 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: ST,意法半导体 |
规格描述: |
MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X |
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图片仅供参考
STL38N65M5 |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):650V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.5A (Ta), 22.5A (Tc) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):105 mOhm @ 12.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):71nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3000pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat™ HV 供应商器件封装:PowerFlat™ (8x8) HV
MDmesh™ V系列简介:
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本产品关键字:STL38N65M5, |
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