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产品展示
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品牌/产地: |
Vishay Siliconix |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
产品编码: |
JR1415991 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
- |
最小包装数量: |
3000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
3000 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Vishay Siliconix |
规格描述: |
MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 |
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图片仅供参考
SIHU6N62E-GE3 |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):620V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A (Tc) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):578pF @ 100V 功率 - 最大值:78W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 供应商器件封装:IPAK (TO-251)
-系列简介:
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本产品关键字:SIHU6N62E-GE3, |
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