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产品展示
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| 品牌/产地： |
International Rectifier |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 产品编码： |
JR1415430 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
HEXFET® |
| 最小包装数量： |
3800 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
3800 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： International Rectifier |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC |
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图片仅供参考
IRF1902GPBF |
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详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.2A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：310pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
HEXFET®系列简介：
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| 本产品关键字：IRF1902GPBF, |
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