中文版  |  English  |  繁体中文  |  网站地图
参数搜索举例:ARM 32BIT 32K FLASH        1210 10uf 25v 125度 10%
料号搜索举例:STM32F401VBT6         FH35C-41S-0.3SHW
当前位置:首页 > 产品中心  > FET器件 > Toshiba Semiconductor and Storage > - > TK80S06K3L(T6L1,NQ
集成电路(IC芯片) 连接器 分立半导体产品 电容器 电阻器

   联系电话:0755-82353796
   传  真:0755-28263285
   李经理 13823135601 
   QQ:3008976071
   张小姐 13631595877
   QQ:125926782
   唐经理  13823729684
   QQ:3008976288
   公司地址:深圳市福田区
   赛格广场22楼2208B
   仓库地址:深圳市龙岗区园山街
   道尚城大厦1101

产品料号:

TK80S06K3L(T6L1,NQ

TK80S06K3L(T6L1,NQ
品牌/产地: Toshiba Semiconductor and Storage 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
产品编码: JR1413683 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: -
最小包装数量: 2000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 2000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Toshiba Semiconductor and Storage
规格描述: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
图片仅供参考
TK80S06K3L(T6L1,NQ

产品相关的资料数据可能存在错误(数据量太大),具体请咨询我们!

详细类别:FET - 单
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):85nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4200pF @ 10V
功率 - 最大值:100W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK+


-系列简介:
本产品关键字:TK80S06K3L(T6L1,NQ,
原厂料号品牌规格描述

2SK2201(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 3A PW-MOLD

2SK2993(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM

2SK3068(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM

2SK3301(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD

2SK3462(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
公司地址:深圳市福田区赛格广场22楼2208B  电 话: 0755-82353796 传 真: 0755-28263285
版权所有©深圳市俊融科技有限公司 ShenZhen JunRong Technology Co.,Ltd. 网 址:www.szJunRong.com
ST、TI、Realtek、Renesas、Mps芯片集成电路IC;HRS、TE、JST连接器,muRata、华新科、国巨电容,NICHICON、RUBYCON、NCC电容 
备案号:粤ICP备17053905号