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产品展示
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| 品牌/产地： |
Toshiba Semiconductor and Storage |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
TO-220-3 整包 |
| 产品编码： |
JR1412757 |
原厂一般交期： |
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| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Toshiba Semiconductor and Storage |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS |
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图片仅供参考
TK8A10K3,S5Q,M |
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详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：530pF @ 10V
功率 - 最大值：18W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220SIS
-系列简介：
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| 本产品关键字：TK8A10K3,S5Q,M, |
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