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产品展示
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![IRFH3707TR2PBF](/ProductFile/PicFile/272/188/13194521783741103080.jpg) |
品牌/产地: |
International Rectifier |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
8-PowerVDFN |
产品编码: |
JR1411940 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
HEXFET® |
最小包装数量: |
400 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
400 |
![在线咨询 在线咨询](http://wpa.qq.com/pa?p=2:241181876:50) |
是否有库存: |
有库存 品牌关键字: International Rectifier |
规格描述: |
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33 |
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图片仅供参考
IRFH3707TR2PBF |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A (Ta), 29A (Tc) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.4 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):755pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-PQFN (3x3)
HEXFET®系列简介:
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本产品关键字:IRFH3707TR2PBF, |
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