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产品展示
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品牌/产地: |
Texas Instruments |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-220-3 |
产品编码: |
JR1411618 |
原厂一般交期: |
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包装/方式: |
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产品系列: |
NexFET™ |
最小包装数量: |
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下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: 德州仪器,TI,Texas |
规格描述: |
MOSFET N-CH 80V 100A TO220 |
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图片仅供参考
CSD19501KCS |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):80V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A (Ta) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.6 毫欧 @ 60A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3980pF @ 40V 功率 - 最大值:217W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3
NexFET™系列简介:
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本产品关键字:CSD19501KCS, |
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