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产品展示
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![FDS6575](/ProductFile/PicFile/261/155/131936085814252113203.jpg) |
品牌/产地: |
Fairchild Semiconductor |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
产品编码: |
JR1410534 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
PowerTrench® |
最小包装数量: |
2500 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
2500 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Fairchild Semiconductor |
规格描述: |
MOSFET P-CH 20V 10A SO-8 |
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图片仅供参考
FDS6575 |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压 (Vdss):20V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A (Ta) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 10A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):74nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4951pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO
PowerTrench®系列简介:
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本产品关键字:FDS6575, |
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