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产品料号:

SI7403BDN-T1-GE3

SI7403BDN-T1-GE3
品牌/产地: Vishay Siliconix 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: PowerPAK? 1212-8
产品编码: JR1409578 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: TrenchFET®
最小包装数量: 3000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 3000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Vishay Siliconix
规格描述: MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK
图片仅供参考
SI7403BDN-T1-GE3

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详细类别:FET - 单
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):74 毫欧 @ 5.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):430pF @ 10V
功率 - 最大值:9.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK® 1212-8
供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8


TrenchFET®系列简介:
本产品关键字:SI7403BDN-T1-GE3,
原厂料号品牌规格描述

SI7121DN-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8

SISA18DN-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

SI7445DP-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8

SI7317DN-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

SI7615DN-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
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