产品分类
集成电路(IC芯片)
连接器
分立半导体产品
电容器
电阻器
联系我们
联系电话：0755-82353796
传 真：0755-28263285
李经理 13823135601
QQ：3008976071
张小姐 13631595877
QQ：125926782
唐经理 13823729684
QQ：3008976288
公司地址：深圳市福田区
赛格广场22楼2208B
仓库地址：深圳市龙岗区园山街
道尚城大厦1101
产品展示
|
|
 |
| 品牌/产地： |
Texas Instruments |
品牌来源： |
|
| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
9-UFBGA，DSBGA |
| 产品编码： |
JR1408949 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
|
产品系列： |
NexFET™ |
| 最小包装数量： |
3000 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
3000 |
 |
| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： 德州仪器,TI,Texas |
| 规格描述： |
MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA |
|
|
|
图片仅供参考
CSD22202W15 |
产品相关的资料数据可能存在错误（数据量太大），具体请咨询我们！
详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：8V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.2 毫欧 @ 2A、 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1390pF @ 4V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：9-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装：9-DSBGA
NexFET™系列简介：
|
| 本产品关键字：CSD22202W15, |
相关产品
| 原厂料号 | 品牌 | 规格描述 |
CSD25202W15 |
Texas Instruments |
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
CSD75207W15 |
Texas Instruments |
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA |
CSD25202W15T |
Texas Instruments |
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
CSD25201W15 |
Texas Instruments |
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
CSD75204W15 |
Texas Instruments |
MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA |