产品分类
集成电路(IC芯片)
连接器
分立半导体产品
电容器
电阻器
联系我们
联系电话：0755-82353796
传 真：0755-28263285
李经理 13823135601
QQ：3008976071
张小姐 13631595877
QQ：125926782
唐经理 13823729684
QQ：3008976288
公司地址：深圳市福田区
赛格广场22楼2208B
仓库地址：深圳市龙岗区园山街
道尚城大厦1101
产品展示
|
|
 |
| 品牌/产地： |
Texas Instruments |
品牌来源： |
|
| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
8-VDFN |
| 产品编码： |
JR1408423 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
|
产品系列： |
NexFET™ |
| 最小包装数量： |
2500 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
2500 |
 |
| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： 德州仪器,TI,Texas |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON |
|
|
|
图片仅供参考
CSD18532NQ5B |
产品相关的资料数据可能存在错误（数据量太大），具体请咨询我们！
详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：22A （Ta）， 100A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.4 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5340pF @ 30V
功率 - 最大值：3.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-VDFN
供应商器件封装：8-VSON （5x6）
NexFET™系列简介：
|
| 本产品关键字：CSD18532NQ5B, |
相关产品
| 原厂料号 | 品牌 | 规格描述 |
CSD25202W15 |
Texas Instruments |
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
CSD18563Q5A |
Texas Instruments |
MOSFET N-CH 60V 96A 8SON |
CSD88539ND |
Texas Instruments |
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
CSD13202Q2 |
Texas Instruments |
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON |
CSD13201W10 |
Texas Instruments |
MOSFET N-CH 12V 20.2A 4DSBGA |