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产品料号:

CSD23382F4T

CSD23382F4T
品牌/产地: Texas Instruments 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: 3-XFDFN
产品编码: JR1408142 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: FemtoFET™
最小包装数量: 250 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 250 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: 德州仪器,TI,Texas
规格描述: MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR
图片仅供参考
CSD23382F4T

产品相关的资料数据可能存在错误(数据量太大),具体请咨询我们!

详细类别:FET - 单
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.5A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):76 毫欧 @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):235pF @ 6V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-XFDFN
供应商器件封装:3-PICOSTAR


FemtoFET™系列简介:
本产品关键字:CSD23382F4T,
原厂料号品牌规格描述

CSD23382F4

Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR

CSD17381F4T

Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402

CSD17483F4T

Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

CSD25481F4T

Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

CSD13381F4T

Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
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