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产品料号:

SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3
品牌/产地: Vishay Siliconix 品牌来源:
产品分类: FET器件 封装/规格: PowerPAK? SO-8
产品编码: JR1407118 原厂一般交期: 联系咨询
包装/方式: 产品系列: TrenchFET®
最小包装数量: 3000 下载数据手册/封装库
最小订购数量: 3000 在线咨询
是否有库存: 有库存     品牌关键字: Vishay Siliconix
规格描述: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
图片仅供参考
SI7784DP-T1-GE3

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详细类别:FET - 单
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):35A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1600pF @ 15V
功率 - 最大值:27.7W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK® SO-8
供应商器件封装:PowerPAK® SO-8


TrenchFET®系列简介:
本产品关键字:SI7784DP-T1-GE3,
原厂料号品牌规格描述

SIRA36DP-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

SIR670DP-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

SI7636DP-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

SI7136DP-T1-GE3

Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

SI7860ADP-T1-E3

Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
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