产品分类
集成电路(IC芯片)
连接器
分立半导体产品
电容器
电阻器
联系我们
联系电话：0755-82353796
传 真：0755-28263285
李经理 13823135601
QQ：3008976071
张小姐 13631595877
QQ：125926782
唐经理 13823729684
QQ：3008976288
公司地址：深圳市福田区
赛格广场22楼2208B
仓库地址：深圳市龙岗区园山街
道尚城大厦1101
产品展示
|
|
 |
| 品牌/产地： |
Infineon Technologies |
品牌来源： |
|
| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 产品编码： |
JR1406821 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
|
产品系列： |
OptiMOS™ |
| 最小包装数量： |
1000 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
1000 |
 |
| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Infineon,英飞凌 |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 |
|
|
|
图片仅供参考
IPB010N06N |
产品相关的资料数据可能存在错误（数据量太大），具体请咨询我们！
详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：45A （Ta）， 180A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 280uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：208nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15000pF @ 30V
功率 - 最大值：300W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线＋接片），TO-263CB
供应商器件封装：PG-TO263-7
OptiMOS™系列简介：
|
| 本产品关键字：IPB010N06N, |
相关产品