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产品展示
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![IPB010N06N](/ProductFile/PicFile/264/125/13193754006889374014.jpg) |
品牌/产地: |
Infineon Technologies |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
产品编码: |
JR1406821 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
OptiMOS™ |
最小包装数量: |
1000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
1000 |
![在线咨询 在线咨询](http://wpa.qq.com/pa?p=2:241181876:50) |
是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Infineon,英飞凌 |
规格描述: |
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 |
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图片仅供参考
IPB010N06N |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):60V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):45A (Ta), 180A (Tc) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 280uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):208nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):15000pF @ 30V 功率 - 最大值:300W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB 供应商器件封装:PG-TO263-7
OptiMOS™系列简介:
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本产品关键字:IPB010N06N, |
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